在地 关 键 词 漏致势垒降低 ; 金属氧化物半导体晶体管 ; 硅锗合金 ; 应变硅 ; 阈值电压 [gap=1397]Key words DIBL; MOS; SiGe; strained Si; threshold voltage
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漏致势垒降低效应 DIBL
漏致势垒降低
Leakage causes the potential barrier to drop
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