碳氮化硅 SiCN
氮化铝–碳化硅 AlN-SiC
氮碳化硅
Silicon nitride
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本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅 层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。
The invention discloses an etching stopping layer comprising a nitrogenous silicon carbide layer formed on a substrate and a silicon nitride layer formed on the silicon carbide layer.
youdao
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