[摘要提示] 英特尔公司日前宣布该公司研究人员已发现新型高k栅极电介质(high-k gate dielectrics)和金属栅极材料。并已利用该新型材料开发出高性能晶体管。
基于16个网页-相关网页
Therefore it is an essential approach to search for a new kind of MOSFET gate dielectric materials with high dielectric constant to replace SiO_2.
因此,必须寻找一种新的具有高介电常数的栅极电介质材料来取代传统的SiO_2。
参考来源 - 退火处理对LaAlO·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
在栅极电介质层上形成界面层。
实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。
In an embodiment, the method includes forming a gate dielectric layer on a semiconductor substrate.
现在研究者正在努力优化器件结构、石墨烯性质和栅极电介质以提高晶体管性能。
The team is now busy working on improving the performance of the transistors by optimizing device structure, graphene quality and the gate dielectric.
应用推荐