机械抛光是依靠非常细小的抛光粉的磨削、滚压作用，除去试样磨面上的极薄一层金属。抛光常常用于增强产品的外观，防止仪器的污染，除去氧化，创建一个反射表面，或防止腐蚀的管道。在冶金中，抛光用于形成平坦，无缺陷的表面，用于在显微镜下检查金属的微观结构。抛光过程中可以使用硅基抛光垫或金刚石溶液。抛光不锈钢也可以增加不锈钢的清洁卫生程度。
2、机械抛光(Mechanical Polishing):假的BA管 常用于除去不锈钢管表面的氧化层、孔洞与刮痕。其亮度与效果，则取决于加工方式的种类。
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化学机械抛光 CMP ; Chemical Mechanical Polishing ; Chemmically-Mechanically Polish ; Chemical mechanical planarization
电化学机械抛光 ECMP
机械抛光机 mechanical polisher
电解机械抛光 electromechanical polishing
机械抛光圆筒 machine glaze cylinder
化学机械抛光法 Chemical Mechanical Polishing ; Chemicalmechanical polish
化学机械抛光机 chemical-mechanical polishing machine
化学辅助机械抛光法 CAMPP
等刻蚀、化学机械抛光 RIE
Nowadays, IC technologyreaches 45nm node. Complex nano-technologies such as sub-wavelength lithographyand Chemical-Mechanical Polishing (CMP) cause more and more large processvariations and therefore seriously deteriorate the yield.
如今，集成电路工艺到达45nm节点，随着亚波长光刻和化学机械抛光等复杂纳米工艺的普遍采用，越来越严重的工艺参数偏差造成了集成电路成品率的快速恶化。
参考来源 - 纳米工艺集成电路的互连线寄生电容参数提取·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分。
Polishing pad is a very important component of the chemical-mechanical polishing (CMP) system.
着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素；
The polishing processes of copper CMP and its influence factors were introduced.
实验表明，脉冲电化学机械抛光是一种有效的镜面加工方法。
The experiments of polishing show that it is an effective mirror processes.
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