改良西门子法多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子工艺是在传统的西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴随产生的大量H2、HCI、SiCI4等副产物以及大量副产热能的配套工艺。目前世界上绝大部分厂家均采用改良西门子法生产多晶硅。 改良西门子法生产多晶硅是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的技术。
对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺进行了改进。
The separation process about deoxidizing stove tail gas in the modified Siemens arts and crafts in polycrystalline silicon production was improved.
本发明多晶硅生产领域，具体涉及改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法。
The invention relates to the field of polysilicon production, in particular to a method for treating secondary trichlorosilane in an improved Siemens method.
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