...网 8纳米低耗电技术,同时配合双/三闸极氧化层(dual/triplegate oxide)工艺,将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(polySi)材料延伸至28纳米工艺,使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。
基于12个网页-相关网页
...米低耗电技术,同时配合双/三闸极氧化层(dual/triplegate oxide)工艺,将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(polySi)材料延伸至28纳米工艺,使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。
基于6个网页-相关网页