反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究-臂力论文网 封装产品具有更高的结构密度,因此可实现更多的功能,拥有更好的性能,成本也能更低廉。为了实现IC器件的TSV(Through Silicon Via,穿透硅通孔)晶圆级封装,需要完成几个重要工艺技术的开发。这其中包括:晶圆减薄,粘接技术,TSV的形成与金属化,电
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...在穿透硅通孔封装技术中的应用研究-臂力论文网 封装产品具有更高的结构密度,因此可实现更多的功能,拥有更好的性能,成本也能更低廉。为了实现IC器件的TSV(Through Silicon Via,穿透硅通孔)晶圆级封装,需要完成几个重要工艺技术的开发。
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在研究穿透硅通孔 TSV
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