刘凤伟，1941年6月生，吉林长春人，大学文化，上海有色金属研究所高级工程师。主要学术成果：“多晶尾气综合利用”获上海科技进步一等奖，“HP系列硅片抛光剂及工艺”获国家发明二等奖；“优质硅片抛光技术”获上海科技进步二等奖；“硅片抛光BS技术”获全国发明金牌奖，《硅片 HE抛光技术》获中国发明专利、国际发明银牌奖。在省市以上刊物发表论文38篇，其中一级学报刊6篇，国际学术会3篇。编著出版《半导体材料》等著作8册，计130万字。其中《硅片抛光》论文在第169届国际电化学年会上选为大会宣讲并发表在1986年《半导体硅》专著上。这是我国电子材料在国际重大学术会议和该著名专著上全文发表的第一篇论文，业绩载入《中国发明家大辞典》和《当代发明家》等书。系中国(上海)发明协会、电子学会、半导体学会、冶金学会会员。