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DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本,因此也称为「SDRAM II」。

简介

DDR是现在的主流内存规范,各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法,也就是DDR200、DDR266DDR333DDR400,一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求,还推出了更高频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据传输上,他在时钟信号上升沿下降沿均可进行数据处理,使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址控制信号则与SDRAM相同,仅在时钟上升沿传送。

工作原理

DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比,改为采用184针(pin),4~6 层印刷电路板,电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚,且只有一个缺槽,与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的,例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则,例如PC1600以及PC2100,单位MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格,数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s),而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。
DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL;CAS Latency,CL是指内存在收到讯号后,要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好,不过这还要看内存颗粒的原始设定值,否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会(JEDEC)的定义(规格书编号为JESD79):DDR SDRAM一共有两种CAS延迟,分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A,而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外,较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。
它代表了内存所能稳定运行的最大频率。现在我们在市场上看到的DDR内存主要是DDR533、DDR667和DDR800。 DDR1333

存取时间

存取时间代表了读取数据所延迟的时间。以前人们有个误区,认为它和系统时钟频率有着某种联系,其实二者在本质上是有着显著的区别的,可以说完全是两回事。存取时间和时钟周期一样,越小则越优。

CAS的延迟时间

这是指纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。我们用CAS Latency(CL)这个指标来衡量。在这里需要友情提醒一下想在近期购买电脑的读者,Intel的处理器相对而言的对延迟时间不敏感,影响Intel处理器性能的主要是内存的时钟频率;而对AMD处理器而言,影响它的主要是CAS延迟时间,因此AMD平台的读者在这个参数上要多多注意。
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- 来自原声例句
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