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金应荣, 男,工学博士。1985年毕业于重庆大学冶金及材料工程系,1988年到四川航天公司工作,1999年到四川大学大学攻读博士学位,2002年到西华大学工作,现为西华大学材料科学与工程学院副院长、研究员、硕士生导师。

个人简介

金应荣

金应荣

教育背景

1981.09-1985.07 重庆大学冶金及材料工程系 ,工学学士。1985.09-1988.07 哈尔滨工业大学材料系 , 工学硕士。1999.09-2002.06 四川大学材料科学与工程学院 ,工学博士。

工作履历

1988.07-1999.08 四川航天公司 , 先后担任助理工程师,工程师和高级工程师2002.06-今 西华大学 ,先后担任研究生部副部长,材料科学与工程学院副院长

研究领域

光电子材料与器件,半导体材料与器件。

科研项目

1) 铝酸盐长余辉发光材料,西华大学人才基金,2002.07-2007.05,负责;2) 优质碘化铅单晶体生长及碘化铅探测器研制,四川省教育厅重点项目,2007.01-2008.12,负责;3) CoO2/Ca2CoO3超晶格热电材料的界面稳定性研究,教育部春晖计划项目,2006.12-2009.12,负责;4) 具有大面积pn结的U型热电发电器研究,教育部春晖计划项目,2010.12-2012.12,。

负责研究概况

主要从事光电子材料与器件和半导体材料与器件方面的研究工作,在光电子材料的制备方面取得一定进展。发表文章30多篇。

发明专利

学术创新点如下:1〕观察到了碘化铅熔体与液态铅分层的现象,修订了Pb-I相图,提出了生长碘化铅单晶体的新方法;2)在Ca3Co4O9热电材料的常温常压致密化烧结方面取得了一定进展。

主讲课程

主讲《材料制备技术》、《功能材料与智能材料》等。

论文与专利

1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-4512 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-4593 金应荣,朱世富,赵北君,陈松林,何福庆,CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极,半导体学报,25卷,2004年,1301-13054 李丽霞,金应荣,贺毅,赵欣,U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析,西华大学学报(自然科学版),27卷,2008年5月,56-57,685 金应荣,李丽霞,贺毅,朱兴华,U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体,西华大学学报(自然科学版),26卷,2007年1月,31-326 王鹏飞,金应荣,鲁云,刘磊,陈建文,王琴,温差对CaMnO3和Ca3Co4O9热电器件输出功率的影响,西华大学学报(自然科学版),30卷,2011年3月,78-817 赵欣,金应荣,朱兴华,垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体,材料科学与工艺,14卷,2006年8月,428-4318 金应荣,朱兴华,贺毅,朱世富,赵北君,栾道成,用碘化铅熔体生长单晶体的方法,发明专利,金应荣,周华,栾道成,刘锦云,贺毅,牛天梅,曾启,赵远东,旋转式高精度气密性检测装置,发明专利,
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