氧化膜 百科内容来自于: 百度百科

在半导体器件的制造上,氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为MOS晶体管的棚级氧化膜、PN接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有:热氧化法及气相成长法(CVD法)。
oxidation film;oxide film
金属钝化理论认为,钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成,故称 氧化膜。如铁钝化膜为γ-Fe2O3,Fe3O4,铝钝化膜为无孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般为10-9~10-10m。一些还原性阴离子,如Cl-对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜,常采用化学电化学处理。
热氧化法(thermal oxide method)
将硅晶圆的表面用高温氧气或水蒸气加以氧化生成。由于可形成细密的氧化膜,因此被用于MOS晶体管的棚级氧化层、钝化层(passivation film,or passivation layer)。用氧化形成的膜厚度可由温度、时间、或者水蒸气的流量加以控制。
气相成长法(CVD:Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)
这是在高温的反应炉内由硅烷气体(SiH4)、氧气等,利用化学反应将氧化硅沉积在晶圆表面的方法,这包括常压CVD法(1大气压)与低压CVD法等。主要用途在于形成配线层间的绝缘膜,保护芯片表面的钝化作用膜等。这种气体也可用在复晶硅棚级电极等的行程中。
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- 来自原声例句
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