半导体物理基础 百科内容来自于: 百度百科

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作  者:黄昆,韩汝琦著 丛 书 名:中国科学技术经典文库·物理卷出 版 社:科学出版社ISBN:9787030287281出版时间:2010-08-30版  次:1页  数:292装  帧:平装开  本:所属分类:图书>科学与自然>物理学

内容简介

本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。本书是黄昆先生重要著作,作为经典文库丛书再次出版。

目录

前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
1.5 扩散薄层的方块电阻
第2章 能级和载流子
2.1 量子态和能级
2.2 多子和少子的热平衡
2.3 费米能级
2.4 电子的平衡统计分布规律
2.5 非平衡载流子的复合
2.6 非平衡载流子的扩散
第3章 pn结
3.1 pn结的电流一电压关系
3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
3.3 晶体管的电流放大作用
3.4 高掺杂的半导体和pn结
3.5 pn结的击穿
3.6 pn结的电容效应
3.7 金属一半导体接触
第4章 半导体表面
4.1 表面空间电荷区及反型层
4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
4.3 实际MIs电容器的c(V)特性及应用
4.4 硅一二氧化硅系统的性质
4.5 MOs场效应晶体管
4.6 电荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和间隙原子
5.3 位错
5.4 层错
5.5 相变和相图
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前言

近年来,半导体科学技术在许多方面都有了深入的发展,并逐渐形成了若干分支。虽然各分支之间有共同的半导体物理基础,但是各自的侧重点和具体要求很不相同。本书主要讲述与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理,但内容着重于硅平面器件,对一些微观理论只作浅显的介绍。在第3章、第4章中对pn结和半导体表面的物理原理以较大篇幅进行了具体而深入的分析。第5章尽量结合半导体实际,介绍有关晶体和缺陷的基础知识。
在本书编写过程中,许多工厂、科研单位和高等学校的同志热情地向我们介绍经验,提供资料,并对写法提出宝贵建议。这对我们的工作是很大的启发和帮助,在此一并表示衷心的感谢。
由于我们经验和水平有限,书中难免有不妥之处,诚恳地希望读者批评指正。
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