本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有源器件砷化镓高电子迁移率晶体管进行了相关的研究，得到了一些新的结果和新的建模方法。
This paper focuses on the modeling of the passive silicon-chip spiral inductors and active GaAs HEMT, and obtains some new results and new modeling method.
本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有源器件砷化镓高电子迁移率晶体管进行了相关的研究，得到了一些新的结果和新的建模方法。
This paper focuses on the modeling of the passive silicon-chip spiral inductors and active GaAs HEMT, and obtains some new results and new modeling method.
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